【光學光刻和極紫外光刻】

為突破晶片製造的“瓶頸”而助力，系統解讀光學光刻技術，支持“摩爾定律”的延續

Description

【極紫外光刻】

編輯推薦

1.本書概況

極紫外光刻是光刻裏最先進的科技，它是7nm及以下晶片製造的最覈心的科技關鍵。本書綜合地介紹了極紫外光刻技術相關聯的各個重要方面及其發展歷程，不僅論述了極紫外光源、極紫外光刻曝光系統、極紫外掩範本、極紫外光刻膠、極紫外計算光刻的科技內容，而且還討論了極紫外光刻生態系統的其他重要方面。

2.本書特色

（1）本書是一本論述極紫外光刻技術的最新的專著，有關極紫外光刻技術許多最新的研發內容都有所介紹和討論。

（2）現時尚沒有一本中文版的有關極紫外光刻技術的專門論著或譯著，對於從事晶片領域的從業科技人員，這是一本非常及時且內容豐富的參考書。

（3）本書從內容上看新穎又全面，從形式上看詳實又精煉。

內容簡介

《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術的最新專著。本書全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術的各個方面及其發展歷程，內容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統、極紫外掩範本、極紫外光刻膠、極紫外計算光刻等方面，而且還介紹了極紫外光刻生態系統的其他方面，如極紫外光刻工藝特點和工藝控制、極紫外光刻量測的特殊要求，以及對科技發展路徑有著重要影響的極紫外光刻的成本分析等內容。最後本書還討論了滿足未來的晶片工藝節點要求的極紫外光刻技術發展方向。

作者簡介

哈利?傑?萊文森（Harry J.Levinson），國際光學工程學會（SPIE）會士，HJL Lithography的獨立光刻顧問和首席光刻師，專注於光刻領域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM擔任過職位。曾將光刻應用於許多不同的科技，包括雙極記憶體、64MB和256MB DRAM開發、專用集成電路晶片製造、磁記錄薄膜磁頭、閃存和先進邏輯晶片等。曾數年擔任美國光刻技術工作組主席，參與製定了《國際半導體技術路線圖》中有關光刻技術的章節。他是矽谷首批SVG-5倍步進式光刻機的用戶之一，也是248nm、193nm和極紫外光刻的早期參與者；撰寫的著作還有：《光刻工藝控制》《光刻原理》，擁有70多項美國專利。

高偉民，阿斯麥公司（ASML）中國區技術總監，資深的光刻技術專家。獲浙江大學光學工程學士學位和比利時魯汶大學物理學碩士、博士學位，先後就職於比利時微電子研發中心（IMEC）和美國新思科技（Synopsys）。專注光刻技術研發，浸潤先進光刻技術研發20年，參與了從0.13 μ m到5nm節點的多世代晶片光刻技術開發，擁有15年極紫外光刻技術研發的豐富經驗。還在各種國際期刊和會議上發表了100多篇論文，擔任多個國際會議組委並多次作邀請演講。

第1章緒論

1.1光刻技術的歷史背景/1

1.2光刻技術的組成部分/3

1.3資料考量和多層膜反射鏡/4

1.4一般性問題/11

習題/12

參考文獻/12

第2章EUV光源

2.1雷射电浆光源/15

2.2放電电浆光源/28

2.3自由電子雷射器/32

習題/36